超纯水作为半导体制造过程中的关键基础材料,其纯度直接影响芯片良率和器件性能。随着制程节点从28nm缩小至5nm,超纯水纯度要求呈现数量级提升,电阻率需从>15MΩ·cm提升至18.2MΩ·cm极限值,总有机碳(TOC)指标从5ppb降至0.5ppb,硼含量限制收紧至0.05ppt以下,微粒子数量控制标准更是从10个/mL提升至1个/mL级别。这种技术迭代推动了超纯水处理技术的持续革新,国内某企业已实现7nm/5nm先进制程所需的超纯水标准突破。全球半导体超纯水市场规模从2020年的12.5亿美元增至2030年预测的28.5亿美元,期间年复合增长率达7.4%。中国市场增速更为显著,2020-2030年市场规模将从5.0亿元扩张至30.0亿元,增长率曲线在2023年出现17.4%的陡升拐点,这与国内半导体产业国产化进程加速密切相关。这种市场扩张直接驱动了超纯水处理技术的迭代升级,反渗透、电去离子(EDI)、紫外氧化等技术组合应用成为行业标配。       国际半导体产业协会(SEMI)制定的ASTM-D51272007标准与中国GB/T11446.1-2013标准共同构建了超纯水质量体系框架,涵盖12项核心指标检测规范。这些标准要求超纯水系统必须实现ppb级离子杂质去除、亚ppb级有机物控制以及纳米级颗粒过滤,其技术实现需要结合多级膜分离、抛光混床、纳滤等工艺组合。当前全球超纯水市场正朝着更低能耗(<3kWh/m3)、更高回收率(>90%)和智能化运维方向发展,以应对先进制程对水质稳定性的苛刻要求。

半导体行业生产环节介绍
      半导体制造是一个复杂且精细的过程,超纯水在其中多个关键环节发挥着不可或缺的作用,贯穿于晶圆制造到芯片封装的整个流程。
      1.晶圆制造环节清洗工序:晶圆在经过切割、研磨等物理加工后,表面会残留各种颗粒、金属杂质和有机污染物。超纯水用于多次清洗晶圆表面,确保其表面的洁净度,为后续光刻、掺杂等工序提供良好的基础。       蚀刻工序:蚀刻是去除晶圆表面特定区域的材料以形成电路图案的过程。超纯水在蚀刻后用于清洗掉蚀刻剂和蚀刻产生的副产物,防止这些残留物影响后续工艺的精度和芯片的性能。       2.芯片封装环节       封装前清洗:在将芯片封装到外壳之前,需要用超纯水清洗芯片,以去除封装过程中可能引入的杂质和污染物,保证封装的密封性和芯片的长期稳定性。

       设备冷却:半导体生产过程中,一些设备会产生大量热量,需要超纯水进行冷却,以维持设备的正常运行温度,确保生产过程的稳定性和设备的使用寿命。

       不同规模的半导体制造商对超纯水的需求存在差异。小型制造商每月用水量可能在数千立方米,而大型制造商每月用水量可达数万立方米甚至更多。例如,生产一片8英寸(直径200mm)的晶圆需消耗约5.6吨超纯水。而超纯水产出效率往往不足65%,约6,000升原水才能产出3,800升超纯水,也就是说,生产一片8英寸的晶圆实际上需要消耗近9吨水!台积电作为全球最大的芯片代工制造商,一年生产约1600万片12英寸晶圆,用水约1亿立方米,相当于一个200万人城市1年的用水量。

 半导体超纯水定义与标准
       超纯水是指通过多级纯化工艺去除几乎所有离子、有机物、颗粒物及微生物的高纯度水体,在半导体制造中承担着晶圆冲洗、试剂配制、设备清洗等核心职能。其纯度直接影响芯片表面洁净度,进而决定器件性能与良品率。随着制程节点从28nm演进至5nm,超纯水纯度要求呈现指数级提升,电阻率需从>15MΩ·cm 跃升至18.2MΩ·cm极限值,总有机碳(TOC)指标从5ppb压缩至0.5ppb,硼含量限制收紧至0.05ppt以下,微粒子数量控制标准更是从10个/mL提升至1个/mL级别。中国国家标准GB/T 11446.1-2013《电子级水》构建了完整的超纯水质量体系,规定了包括电阻率、TOC、微粒子、细菌总数、溶解氧等12项核心指标的检测方法与限值要求。该标准将电子级水分为四级(EW-I至EW-IV),其中半导体先进制程需严格遵循最高等级EW-I标准:       当前半导体超纯水系统需集成超过18项工艺环节,包括多介质过滤、反渗透膜、电渗析、紫外线TOC去除等通过8次增压提升确保产水水质接近理论极限值(电导率18.24MΩ·cm)。
中国市场需求现状
       中国半导体超纯水市场需求呈现持续扩张态势,市场规模从2020年的5.0亿元增至2030年预测的30.0亿元,复合年增长率达16.6%。增长率曲线在2023年出现显著拐点,同比增长率从2022年的23.1%跃升至31.3%,这与半导体国产化进程加速及先进制程升级直接相关。从需求量看,2020-2030年间市场规模扩大6倍,其中2025年突破16亿元,2028年达26.5亿元,显示超纯水需求与半导体产能扩张及技术迭代高度关联。
技术发展与制程要求
       不同制程节点对超纯水纯度的要求存在显著差异,具体指标对比见下表: 从数据可见,随着制程工艺从28nm向5nm演进,超纯水纯度要求呈现指数级提升。电阻率从15MΩ·cm跃升至接近理论极限值18.2MΩ·cm [13],总有机碳控制标准从5ppb压缩至0.5ppb。特别在微粒子控制方面,7nm制程要求将颗粒物数量限制在200个/L以内,而5nm制程则进一步收紧至50个/L以下。
超纯水制备方法及技术原理
        (一)现有常规制备超纯水系统超纯水制备需要经过预处理阶段、核心脱盐阶段、离子交换、终端精制等多个环节。其一般流程为:原水进入原水箱,经过碳滤软化器、高压泵一级RO系统、原水增压泵砂滤、精密过滤器等进行初步处理,去除水中的大部分悬浮物、有机物和硬度离子;然后进入EDI模块等进行核心脱盐,进一步降低水中的离子含量;最后经过终端精制得到符合半导体行业要求的超纯水,进入超纯水箱储存。
       (二)不同制备技术及原理       1.超滤浓水回收技术        原理:通过优化超滤过程,利用特定的超滤膜将浓水中的部分有用物质分离出来,使其达到可以再次使用的水质标准,然后回收用于原水箱补水。        优势:回收率高达90%,有效减少了水资源的浪费降低了对新鲜水的需求。

       2.EDI及一级RO浓水回收技术

       原理:采用高效反渗透技术,对EDI(连续电除盐)和一级RO(反渗透)过程中产生的浓水进行处理。在压力作用下,浓水中的水分子通过反渗透膜,而大部分盐分和其他杂质被截留,从而实现浓水的回收利用。

       优势:一级RO浓水回收率可达60-70%,提高了水资源的利用率,降低了制备成本。

       3.划片废水回收技术

      原理:利用多介质过滤器,对划片废水中的悬浮物颗粒物等进行过滤和截留,同时去除部分有机物和微生物,使处理后的废水达到回到原水箱继续使用的标准。

      优势:有效地减少了划片废水的排放,降低了对环境的影响同时节约了水资源。

      4.自由端超滤技术

      针对问题:切片废水因悬浮物高、含细硅粉颗粒,传统超滤存在死角大、布水不均匀、无法对膜丝有效冲刷、系统内湍流较弱等问题,导致堵的快。

      原理:自由端膜丝未封装固定,可自由抖动,大幅度增加曝气冲刷效果,自由式端口使污染物不易聚集,便于排出,清洗死角少,延缓膜污染。专利制膜配方使膜丝具有高通量抗污染特性,模块化设计易于安装更换,适配性强,开放式流道设计,定制运行工艺可实现高回收率低药洗频率。

      优势:解决了传统超滤在处理切片废水时的堵塞问提高了超滤系统的运行效率和稳定性,减少了维护成题。

      5.Mesh MABR复合膜技术

      原理:求是膜专利技术的复合MABR膜,克服了常见膜如疏水微孔膜(PTFE、PVDF、PP、PE)的膜孔污染、水压影响扩散效果、控制难和无孔致密膜(PMP)的产业化难、气体传输阻力大、强度低等缺点,通过特殊的结构和材料设计,实现高效的气体传输和水质净化。

      优势:提高了膜的使用寿命和处理效率,降低了运行成本,适用于多种复杂水质的处理。

     6.膜软化装置

      原理:膜软化一体化装置可用于除硬、除硅、除氟、除各类重金属离子,各类高悬浮物固液分离及含油复杂废水处理。其工作原理是利用特殊的膜材料和处理工艺,选择性地去除水中的硬度离子(如钙离子、镁离子等)和其他杂质。

      优势:适用于中小规模水处理系统,安装简便,施工周期短,能够有效降低水的硬度和杂质含量。

      7.PolyMesh系列-膜脱气技术(膜法除氧、膜法脱碳、膜法脱氨)

      膜法除氧原理:将水体中的溶解氧降低至1ppb以下:满足半导体等行业对脱氧水制备的需求。其原理是通过特定的膜材料和操作条件,使水中的溶解氧在压力差或浓度差的作用下透过膜,实现与水的分离。

      膜法脱碳原理:在超纯水制备中脱除二氧化碳,降低后道耗材负担延长寿命;在半导体纯水中精确控制二氧化碳含量,实现无添加控制电导率。其工作原理是利用膜对二氧化碳的选择性透过性,将水中的二氧化碳从液相转移到气相,从而达到脱除二氧化碳的目的。

      膜法脱氨原理:利用脱气膜透气不透水的性质,将高氨氮废水中的游离氨通过跨膜吸收转化为铵盐溶液或氨水,将废水中氨氮降低到15ppb以下。该技术通过调节废水的pH值使铵离子转化为游离氨,然后在膜两侧的浓度差作用下,游离氨透过膜被吸收液吸收并转化为铵盐。

      优势:在超纯水制备过程中有效地去除水中的溶解气体,提高超纯水的纯度和质量,满足半导体行业对超纯水水质的严格要求。

      8.TOC相关技术

      直接电导法TOC技术原理:水系统样品经进样口进入仪器后,通过调节阀调节进样压力,流量计监测到稳定流量的样品,流经1C电导池后,获得IC信号,进入紫外氧化反应器进行充分氧化后,再流经TC电导池,获得TC信号后将样品排出仪器。根据公式:TOC=TC-IC,计算得到样品中总有机碳的浓度。

      薄膜电导法TOC技术原理:蠕动泵抽取待测样,进样器添加试剂后将样品分为两路。一路样品通过氧化反应器和氧化剂将样品中的有机物完全氧化成二氧化碳,另一路样品则不氧化,将样品本身含有的二氧化碳作为背景。两路样品通过膜过滤模块将二氧化碳传递至内循环,再经电导池检测其电导率变化。根据公式:TOC=TC-IC,最后得出样品中总有机碳的浓度。

      9.微生物检测技术

      技术原理:微生物含有NADH和核黄素等代谢物,当暴露于特定波长的光线下,会发出荧光。利用激光诱导荧光技术进行检测,通过检测荧光信号的强度来确定水中微生物的含量。

      (三)特种树脂制备超纯水

      1.产品优势

      流程优势:相比于现有的制水系统,流程简,省空间;压力小,能耗低;废水少,产水高;价格低,省成本;产水精,能达到电子行业对超纯水的要求。

      树脂优势:所采用的越琦电子级离子交换树脂,可直通自来水得到超纯水。在实验室实验中,得到的超纯水的电导率能够达到0.052uS/cm,能够满足电子行业需求。在处理电导率30uS/cm以下水质,体积运行比在1:1000以上,运行稳定。硬度为300uS/cm的原水可以直接进树脂,所得到的超纯水的品质能够满足电子、医药、实验等行业需求,甚至可以应用于更高层次行业的用水需求。

      2.工艺流程:包括油相的清洗、磺化、清洗、碱化,合成白球,脱水,水相包装等。

产业链结构与供应商
      中国超纯水产业链呈现高度专业化分工,上游设备供应商、中游系统集成商与下游应用领域形成紧密协同的技术生态。在上游环节,核心设备供应商聚焦于关键组件的研发制造,如蓝星东丽提供的超低压反渗透膜元件实现99.7%脱盐率,时代沃顿开发的抗污染RO膜适用于高TOC原水处理,Electropure的EDI模块可将离子杂质控制在ppt级。紫外氧化设备领域,特洁安(TrojanUV)的1.2mW/cm’高强度紫外系统实现0.01ppbTOC去除能力,配合膜过滤厂商Pall的0.01um超滤组件,构建起有机物与颗粒物双重屏障。这些设备供应商通过材料改性和工艺优化,使单台设备处理能力提升至500m3/h,能耗降低至2.8kWh/m3中游系统集成商以高频科技、至纯科技等企业为核心将上游设备整合为全流程解决方案。高频科技开发的18级纯化工艺系统,集成多介质过滤、二级RO、EDI、UVTOC去除等模块,实现99.9999999999%纯度的超纯水制备,其电阻率稳定在18.2MΩ·cm,颗粒物控制达50个/L(>0.05um)。至纯科技的智能控制系统通过在线监测12项水质参数,结合AI算法实现水质波动预警,将系统稳定性提升至99.95%。这些集成商还提供模块化设计服务,如北方华创推出的200L/min移动式超纯水车,满足半导体产线快速扩容需求。下游应用领域以半导体制造为核心,占据超纯水市场85%以上份额。在晶圆制造环节,中芯国际14nm产线每片晶圆消耗超纯水达2000L,其中清洗工序占用水量的70%,要求水中硼含量低于0.05ppt以避免P型掺杂异常。先进封装领域,长电科技的Chiplet异构集成技术采用超纯水进行微凸点清洗,要求颗粒物控制精度达0.02um。除半导体外,光伏行业N型TOPCon电池清洗对超纯水电阻率要求达15MΩ·cm,带动市场需求多元化增长。当前产业链呈现纵向延伸趋势,如盛美上海开发的电镀液超纯化系统将超纯水处理与电镀工艺深度融合,实现金属离子污染降低2个数量级。
技术创新与处理技术
      超纯水处理技术正经历从传统工艺向多级耦合系统集成的深度革新。当前主流技术路线已形成三级架构:预处理阶段采用多介质过滤(去除>5um颗粒)与反渗透膜(脱盐率>99.7%)组合工艺,核心纯化阶段集成电去离子(EDI)、紫外氧化(TOC去除率>95%)及抛光混床(离子去除精度达ppt级),终端处理则通过0.01um超滤膜与真空脱气塔实现纳米级颗粒控制及溶解氧<5ppb的深度去除。高频科技研发的18级工艺系统将电导率提升至18.24MΩ·cm理论极限值,纯度达99.9999999999%其技术路线图显示未来将融合AI水质预测模型与膜材料表面改性技术,目标实现能耗<2.5kWh/m3及回收率>95%的突破。在检测技术维度,激光散射粒子计数法已实现0.01um级颗粒物在线监测,电感耦合等离子体质谱(ICP-MS)可同步检测32种金属离子,检测限低至0.01ppt。系统集成创新方面,北方华创推出的模块化超纯水车采用500m3/h处理单元与智能压力调控系统,支持半导体产线72小时内快速部署。技术路线演进呈现三大趋势:工艺耦合度从6级提升至18级,控制精度从ppm级迈向ppt级,系统能耗从8kWh/m3降至3kWh/m3以下。这些突破使超纯水系统能完全满足5nm 制程对硼含量<0.05ppt、微粒子<50个/L(>0.05um)的严苛要求。
区域需求分布
      长三角地区因汇聚中芯国际14nm以下先进产线、华虹半导体8英寸线及长江存储3DNAND产线,占据全国45%以上超纯水需求。该区域要求超纯水系统100%符合GB/T 11446.1-2013EW-|级标准,高频科技在7nm/5nm制程超纯水系统中实现电阻率18.2MΩ·cm、颗粒物<50个儿(>0.05um)的技术突破,成为区域核心供应商。2023年上海临港新片区半导体材料产业规模突破800亿元,带动超纯水需求同比增长34%。珠三角地区依托华为、比亚迪等终端应用企业反向推动半导体国产化,广州粤芯180nm-90nm混合制程产线与深圳第三代半导体产线形成差异化需求。该区域需求增速达年均18%,对TOC<2ppb、电阻率>16.5MΩ·cm的中端超纯水系统依赖度较高,至纯科技智能控制系统在华为松山湖基地实现水质波动士0.05MΩ·cm的精准控制。成渝地区作为后起之秀,长江存储128层3DNAND产线单片晶圆消耗超纯水超2000L,成都京东方OLED产线清洗工艺要求硼含量<0.1ppt。该区域需求增速从2022年的12%跃升至2023年的22%,2025年区域占比将突破15%[12]。北方华创200L/min移动式超纯水车在成都芯谷项目中实现72小时快速部署,支撑产线扩容需求。
      京津冀地区受中芯京城14nm产线及燕东微8英寸线驱动,需求向高精度方向发展。该区域对细菌总数<0.1CFU/mL的生物污染控制指标尤为严格,盛美上海电镀液超纯化系统使金属离子污染降低2个数量级,在先进封装领域市占率达65%。2023年北京亦庄半导体产业规模同比增长28%,带动区域超纯水需求突破4.2亿元。     
      区域需求差异显著反映技术迭代梯度:长三角主导5nm14nm先进制程需求,珠三角侧重成熟制程与第三代半导体,成渝聚焦存储芯片与OLED,京津冀发展功率器件与先进封装。这种产业布局推动超纯水处理技术向模块化(北方华创移动水车)、智能化(至纯AI预警)、低碳化高频科技3kWh/m³能耗)多维创新。
菜单